邢哲

作品数：5被引量：11H指数：2
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供职机构：河北工业大学更多>>
发文主题：化学机械抛光CMPULSI抛光液钽更多>>
发文领域：电子电信化学工程更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《半导体技术》《微纳电子技术》更多>>
所获基金：河北省自然科学基金国家中长期科技发展规划重大专项国家自然科学基金更多>>
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碱性抛光液在CMP过程中对低k介质的影响被引量：2
《半导体技术》2012年第1期29-32,共4页王立冉 邢哲 刘玉岭 胡轶 刘效岩 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)
以p型<111>硅片为衬底,经过旋涂固化制备低介电常数(低k)材料聚酰亚胺。经过化学机械抛光(CMP)过程,考察实验前后低k材料介电性能的变化。实验中分别使用阻挡层抛光液、Cu抛光液以及新型抛光液对低k材料进行抛光后,利用电参数仪对低k材...
关键词：低K材料 化学机械抛光 抛光液 介质电特性 聚酰亚胺 
GLSI钨插塞CMP碱性抛光液组分优化的研究被引量：2
《半导体技术》2012年第1期33-36,41,共5页林娜娜 邢哲 刘玉岭 孙鸣 刘利宾 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)
钨插塞化学机械平坦化(CMP)是极大规模集成电路(GLSI)铜互连多层布线的关键工艺之一。首先研究了钨在碱性条件下化学机械抛光机理;接着采用单因素实验方法分析了抛光液组分中纳米SiO2水溶胶磨料、氧化剂、有机碱(pH调节剂)和表面活性剂...
关键词：钨插塞 化学机械抛光 碱性抛光液 去除速率 表面粗糙度 
半导体器件硅衬底化学机械平坦化研究被引量：1
《微纳电子技术》2011年第11期744-748,共5页杨立兵 王胜利 邢哲 孙鸣 王辰伟 王娜 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308);河北省自然科学基金(E2010000077)
主要对分立器件硅衬底化学机械平坦化(CMP)进行了研究。首先通过正交实验方法研究活性剂、螯合剂、磨料浓度和有机碱对硅材料去除速率的影响,得出活性剂体积分数对去除速率的影响最大,并且研究出去除速率最快的抛光液的最优配比,去除速...
关键词：化学机械平坦化(CMP) 材料去除速率 抛光液 总厚度变化 分立器件 
ULSI铜多层布线中钽阻挡层CMP抛光液的研究与优化被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第12期1726-1729,共4页邢哲 刘玉岭 檀柏梅 王新 李薇薇 
国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 3 3 );河北省自然科学基金 (批准号 :5 0 2 0 2 9)资助项目~~
以高浓度纳米 Si O2 水溶胶为磨料 ,H2 O2 为氧化剂的碱性抛光液 ,研究了适用于终抛铜 /钽的 CMP抛光液 .通过调节 p H值 ,降低抛光液的氧化 ,增强有机碱的作用 ,来降低铜的去除速率并提高钽的去除速率 ,得到了很好的铜 /钽抛光选择性 .
关键词：多层布线 化学机械抛光 阻挡层 抛光液 选择性 
ULSI多层铜布线钽阻挡层及其CMP抛光液的优化被引量：4
《半导体技术》2004年第7期18-20,34,共4页刘玉岭 邢哲 檀柏梅 王新 李薇薇 
国家自然科学基金资助项目(60176033);河北自然科学基金资助项目(502029)
分析了铜多层布线中阻挡层的选取问题,根据铜钽在氧化剂存在的情况下,抛光速率对pH值的不同变化趋势,提出优化碱性抛光液配比进而改变pH值,以达到铜钽抛光一致性的方法,并进行了相应的实验研究。
关键词：化学机械抛光 抛光液 CMP 多层布线 ULSI 铜钽抛光 
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