刘利宾

作品数：4被引量：5H指数：2
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供职机构：河北工业大学信息工程学院微电子技术与材料研究所更多>>
发文主题：抛光CMP化学机械抛光去除速率插塞更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《半导体技术》《微纳电子技术》更多>>
所获基金：国家中长期科技发展规划重大专项河北省自然科学基金更多>>
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一种10位50MHz流水线模数转换器的设计被引量：2
《半导体技术》2012年第2期122-125,共4页王林锋 周建伟 甘小伟 刘利宾 邢少川 
采用每级1.5 bit和每级2.5 bit相结合的方法设计了一种10位50 MHz流水线模数转换器。通过采用自举开关和增益自举技术的折叠式共源共栅运算放大器,保证了采样保持电路和级电路的性能。该电路采用华润上华(CSMC)0.5μm 5 V CMOS工艺进行...
关键词：流水线模数转换器 采样保持电路 运算放大器 自举开关 增益自举 
GLSI钨插塞CMP碱性抛光液组分优化的研究被引量：2
《半导体技术》2012年第1期33-36,41,共5页林娜娜 邢哲 刘玉岭 孙鸣 刘利宾 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)
钨插塞化学机械平坦化(CMP)是极大规模集成电路(GLSI)铜互连多层布线的关键工艺之一。首先研究了钨在碱性条件下化学机械抛光机理;接着采用单因素实验方法分析了抛光液组分中纳米SiO2水溶胶磨料、氧化剂、有机碱(pH调节剂)和表面活性剂...
关键词：钨插塞 化学机械抛光 碱性抛光液 去除速率 表面粗糙度 
硬盘基板化学机械粗抛光的实验研究被引量：1
《半导体技术》2011年第12期923-928,共6页刘利宾 刘玉岭 王胜利 林娜娜 杨立兵 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308);河北省自然科学基金资助项目(E2010000077)
针对硬盘NiP/Al基板粗抛光,采用SiO2作为抛光磨料的碱性抛光液,在不同压力、转速、pH值、磨料浓度和活性剂体积浓度下,对硬盘基板粗抛光的去除速率和表面粗糙度的变化规律进行研究,用原子力显微镜观察抛光表面的微观形貌。最后对5个关...
关键词：NiP/Al基板 SiO2磨料 单因素法 化学机械抛光(CMP) 粗糙度 去除速率 
有机胺碱对硅粗抛光及表面微形貌的影响
《微纳电子技术》2011年第11期749-752,共4页王娜 刘玉岭 孙鸣 杨立兵 高净 刘利宾 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)
硅单晶抛光片是极大规模集成电路应用最广泛的衬底材料,抛光液为影响硅单晶片抛光最关键的因素。通过改变抛光液中有机胺碱配比来调节抛光液的pH值。实验结果表明:随着有机胺碱比例的不断增加,pH值随之上升,硅片的去除速率(material rem...
关键词：硅单晶片 有机胺碱 抛光液 抛光速率 表面粗糙度 
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