低K材料

作品数：21被引量：32H指数：4
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含氟低介电常数有机材料研究进展被引量：5
《有机氟工业》2020年第2期30-34,共5页王海 程文海 周涛涛 卢振成 王凌振 蒋梁疏 
低k(介电常数)介质材料替代传统SiO2作为互连金属介电层是集成电路发展的必然趋势。总结了低k材料性能基本要求及制备方法,重点探讨含氟低k有机材料研究进展。认为获得k值低且综合性能优异的含氟有机材料是最终目的,并对含氟低k有机材...
关键词：金属介电层 低K材料 含氟低k有机材料 
集成电路互连低k材料及其可靠性研究被引量：3
《功能材料与器件学报》2017年第1期6-11,共6页林倩 贺菲菲 陈超 
青海省2017年基础研究计划项目;编号(2017-ZJ-753);青海省自然科学基金资助项目(2016-ZJ-922Q);青海省科技厅应用基础研究计划资助项目(2015-ZJ-721);教育部"春晖计划"项目(Z2016071);青海民族大学本科教学研究项目(2016-BKJXYB-09)
随着集成电路的快速发展,由器件密度和连线密度不断增加、线宽逐渐减小带来的RC延迟成为了互连线可靠性的面临的最大难题。研究表明,低k材料的应用是减小RC延迟,降低串扰和功耗的重要途径。为了适应ULSI高速、高集成度的发展,低k互连介...
关键词：低K材料 寄生耦合 RC延迟 空气隙 原子通量散度 
穿透硅通孔互连结构的湿-热应力有限元分析被引量：4
《半导体技术》2012年第11期889-893,共5页俞箭飞 江五贵 
国家自然科学基金项目(10902048;11162014)
对穿透硅通孔(TSV)互连结构的湿-热应力问题进行了有限元分析。首先模拟了在二氧化硅和氢基半硅氧烷(HSQ)低k材料TSV互连结构在回流焊过程中,因热膨胀系数不匹配而引入的热应力,然后预测了HSQ基TSV互连结构在潮湿环境下因湿膨胀系数不...
关键词：TSV结构 低K材料 湿-热应力 有限元 铜互连 
碱性抛光液在CMP过程中对低k介质的影响被引量：2
《半导体技术》2012年第1期29-32,共4页王立冉 邢哲 刘玉岭 胡轶 刘效岩 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)
以p型<111>硅片为衬底,经过旋涂固化制备低介电常数(低k)材料聚酰亚胺。经过化学机械抛光(CMP)过程,考察实验前后低k材料介电性能的变化。实验中分别使用阻挡层抛光液、Cu抛光液以及新型抛光液对低k材料进行抛光后,利用电参数仪对低k材...
关键词：低K材料 化学机械抛光 抛光液 介质电特性 聚酰亚胺 
纳米二氧化硅抛光液对低k材料聚酰亚胺的影响被引量：4
《功能材料》2011年第B11期852-854,共3页胡轶 刘玉岭 刘效岩 王立冉 何彦刚 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308)
以3英寸的P型〈111〉硅片为衬底,经过旋涂固化制备低介电常数(低k)材料聚酰亚胺。对聚酰亚胺进行化学机械抛光(CMP),考察实验前后,纳米二氧化硅抛光液对低k材料的结构和介电常数。实验中应用了2种纳米二氧化硅抛光液:一种是传统的铜抛光...
关键词：低介电常数材料 纳米二氧化硅抛光液 介电常数 漏电流 
低k材料的化学机械抛光研究被引量：1
《微纳电子技术》2008年第5期293-297,共5页周国安 种宝春 
阐述了低k材料在IC电路中的作用及其性质,以SiO2、SiOF、SiOCSP、SiOCNSP、Si-OCSO五种材料为研究对象,分析了低k材料与Cu互连工艺的相互联系和作用。在Sikder和Kumar提供的声发射信号(AE)的在线监测图的基础上比较和分析了五种材料的...
关键词：化学机械抛光 声发射信号在线检测 普莱斯顿方程 低K材料 表面形貌 
等离子体去胶对低K材料损伤的问题研究被引量：1
《集成电路应用》2008年第4期36-38,共3页周旭升 倪图强 程秀兰 
本文介绍了铜镶嵌工艺中的低K电介质材料和电介质刻蚀/去胶技术,研究了In-Situ等离子体去胶对低K电介质材料损伤的问题并提出了最大限度地减少去胶损伤的方法。
关键词：材料损伤 等离子体 电介质材料 低K电介质 镶嵌工艺 
Air Gaps:小题大作被引量：1
《集成电路应用》2007年第9期29-29,共1页Peter Singer 
“理论上k的最小值是1，空气就是终极低k材料，这使得airgap（空气隙）成为每个互连研究人员的梦想。但是它们会成为一个美梦还是梦魇，将取决于它们在实际应用中的行为和可靠性。”这是IMEC的Ludo Deferm在2005年三月刊的Semiconductor...
关键词：SEMICONDUCTOR 低K材料 研究人员 空气隙 最小值 可靠性 
Forouhi-Bloomer离散方程在低k材料光学表征上的应用被引量：1
《半导体技术》2007年第6期508-511,519,共5页吴恩超 江素华 胡琳琳 张卫 李越生 
半导体工艺中对低k介质材料的精确表征是工艺监控的重要环节,传统方法如扫描电子显微镜和透射电子显微镜存在耗时长和破坏性等缺点。使用一种结合了Forouhi-Bloomer离散方程组和宽光谱分光光度法的新方法,对低k薄膜进行光学表征,得到薄...
关键词：低K材料 Forouhi-Bloomer离散方程 折射率 
在65nm及以下节点获得良好的互连可靠性
《集成电路应用》2007年第5期37-40,共4页Laura Peters 
尽管互连尺寸在不断地等比例缩小。同时也会用到更加多孔的低k材料。工程师们还是在设法满足互连的可靠性规范。
关键词：可靠性 互连 下节点 低K材料 工程师 比例 尺寸 多孔 
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