基于单晶硅梁的静电RF MEMS开关  

Electrostatic RF MEMS Switches Based on Mono Crystal Silicon Cantilever Structure

作　　者：刘茂哲[1] 景玉鹏[1] 李全宝[1] 焦斌斌[1] 黄钦文[1] 李超波[1] 欧毅[1] 陈大鹏[1] 叶甜春[1] 

机构地区：[1]中科院微电子研究所硅器件与集成技术研究室,北京100029

出　　处：《电子工业专用设备》2007年第1期15-17,61,共4页Equipment for Electronic Products Manufacturing

基　　金：国家"863"计划资助项目(批准号:2005AA404210);中国科学院微电子所所长基金支持项目

摘　　要：RFMEMS开关是低功耗、低损耗高频通讯电路和系统的关键部件,静电驱动RFMEMS开关因具有零直流功耗、开关时间短、结构简单、易集成的优点而成为研究热点,但是驱动电压高、薄膜应力变形严重、寿命短等问题制约了其发展,提出了一种基于单晶硅梁的推拉式静电RFMEMS开关结构,能够解决静电RFMEMS现有的缺陷。RF MEMS switches offer a substantially higher performance than pin or FET diode switches. In this paper, a push-pull type RF MEMS switch is proposed, which utilizes mono crystal silicon cantilever structure for low-voltage operation and long-term reliability.

关 键 词：射频微机械开关 单晶硅梁 静电驱动 

分 类 号：TP271.4[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]