IEDM重装上阵Ⅱ——用MEMS工艺制作高性能的片上电感  

作　　者：汪辉[1] 

机构地区：[1]<半导体国际>

出　　处：《集成电路应用》2007年第3期30-30,共1页Application of IC

摘　　要：中国大陆对IEDM　2006的另一个贡献来自于中国科学院上海微系统与信息技术研究所的李昕欣小组。他们的论文标题很长，＂A Post-CMOS Concave-Suspending MEMS Process in Standard Silicon Wafers for High- Performance SolenoidaI-DNA-Configured Micro-Transformers＂（用后CMOS的MEMS凹悬工艺制作DNA螺旋状的高性能片上微互感器）。2004年．他们将CMOS工艺（STI）用于单晶圆MEMS，今年则反其道而行．用MEMS工艺来制作高性能的射频片上互感器和电感，再显他山之石的威力。

关 键 词：MEMS工艺 工艺制作 片上电感 IEDM 性能 CMOS工艺 SILICON 重装 

分 类 号：TN752[电子电信—电路与系统]