凹栅AlGaN/GaN HFET  

Recess-Gate AlGaN/GaN HFET

作　　者：张志国[1] 冯震[1] 杨梦丽[1] 冯志红[1] 默江辉[1] 蔡树军[1] 杨克武[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第9期1420-1423,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：研究了总栅宽为100μm栅凹槽结构的AlGaN/GaN HFET,采用相同的外延材料,凹槽栅结构器件与平面栅结构器件比较其饱和电流变化小,跨导由260.3mS/mm增加到314.8mS/mm,n由2.3减小到1.7,栅极漏电减小一个数量级.在频率为8GHz时,负载牵引系统测试显示,当工作电压增加到40V,输出功率密度达到11.74W/mm.A recessed gate A1GaN/GaN HFET with a total gate length of 100μm is studied. The device demonstrates an increase in transconductance from 260.3 to 314.8mS/mm compared to the unrecessed device, while the saturation current changes slightly. Moreover,the ideality is improved from 2.3 to 1.7. An output power density of 11.74W/mm is achieved at 8GHz and 40V using a load pull system.

关 键 词：ALGAN/GAN HFET 凹栅 高电压 高功率密度 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]