杨梦丽

作品数：2被引量：8H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：MESFET锗金PHEMT欧姆接触更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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凹栅AlGaN/GaN HFET被引量：4
《Journal of Semiconductors》2007年第9期1420-1423,共4页张志国 冯震 杨梦丽 冯志红 默江辉 蔡树军 杨克武 
研究了总栅宽为100μm栅凹槽结构的AlGaN/GaN HFET,采用相同的外延材料,凹槽栅结构器件与平面栅结构器件比较其饱和电流变化小,跨导由260.3mS/mm增加到314.8mS/mm,n由2.3减小到1.7,栅极漏电减小一个数量级.在频率为8GHz时,负载牵引系统...
关键词：ALGAN/GAN HFET 凹栅 高电压 高功率密度 
金-锗系统欧姆接触制备研究被引量：4
《半导体情报》2001年第4期32-34,44,共4页杨梦丽 张红欣 于信明 
对于 Ga As MESFET和以 Ga As或 In P为衬底的 PHEMT的欧姆接触制备 ,虽均采用 Au-Ge- Ni系统 ,但其合金条件却因材料特性各异而不同。
关键词：MESFET PHEMT 欧姆接触 合金条件 金-锗系统 
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