用于紫外探测器DBR结构的高质量AlGaN材料MOCVD生长及其特性研究  

MOCVD growth and characteristics of high quality AlGaN used in the DBR structure of ultraviolet detector

作　　者：谢自力[1] 张荣[1] 修向前[1] 韩平[1] 刘斌[1] 陈琳[1] 俞慧强[1] 江若琏[1] 施毅[1] 郑有炓[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系江苏省光电功能材料重点实验室,南京210093

出　　处：《物理学报》2007年第11期6717-6721,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家重点基础研究发展规划(973)(批准号:2006CB6049);国家自然科学基金(批准号:60390072;60476030;60421003;60676057);教育部重大项目(批准号:10416);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004);江苏省自然科学基金(批准号:BK2005210;BK2006126)资助的课题~~

摘　　要：利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同工艺条件下的高质量AlGaN材料的制备.得到了无裂纹的全组分AlxGa1-xN(0<x<1)薄膜.通过XRD,SEM,AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对材料的结构质量、组分、厚度和表面形貌的影响.分析了不同生长工艺对AlGaN材料特性的影响.研制的高质量AlGaN材料在紫外探测器的DBR结构应用中得到比较好的特性.　High quality AlGaN materials used in the DBR structure of ultraviolet detector are grown under different growth conditions.The structure,composition and photographic characteristics are determined by XRD,SEM and AFM.The influence of the growth conditions on the characteristics of the AlGaN materials are discussed.The good performance of the DBR structure of ultraviolet detector is obtained.

关 键 词：ALGAN DBR 紫外探测器 MOCVD 

分 类 号：TN23[电子电信—物理电子学] TN304.05