同步辐射x射线光刻实验研究  

作　　者：谢常青[1] 陈梦真[1] 赵玲莉[1] 孙宝银[1] 韩敬东[1] 朱樟震[2] 张菊芳[2] 

机构地区：[1]中国科学院微电子中心 [2]中国科学院高能所

出　　处：《半导体技术》1997年第6期45-46,共2页Semiconductor Technology

基　　金：攀登计划PD930307资助项目

摘　　要：采用侧墙工艺技术研制深亚微米ｘ射线掩模，并在北京同步辐射装置光刻束线上进行了同步辐射ｘ射线曝光实验。

关 键 词：同步辐射 X射线光刻 X射线掩模 侧墙工艺 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学] O434.1[机械工程—光学工程]