孙宝银

作品数：8被引量：13H指数：1
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：氮化硅薄膜LPCVDX射线光刻氮化硅可见光发射更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程更多>>
发文期刊：《发光学报》《微细加工技术》《半导体技术》《科学通报》更多>>
所获基金：国家科技部专项基金更多>>
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RTA对氮化硅薄膜发光光谱的影响
《发光学报》2003年第1期66-68,共3页刘渝珍 石万全 赵玲莉 孙宝银 叶甜春 
科技部专项基金资助项目 ( 2 0 0 1DIB2 0 10 7)
在 5 0eV的激光激发下 ,在室温下富硅的LPCVD氮化硅薄膜可发射六个PL峰 ,其峰位分别为 2 97,2 77,2 5 5 ,2 32 ,2 10 ,1 9eV。经 90 0～ 110 0℃在N2 气氛下快速退火 (RTA)处理后 ,样品的六个PL峰变为3 1,3 0 ,2 85 ,2 6 ,2 36...
关键词：发光光谱 LPCVD 氮化硅薄膜 快速退火 RTA 
LPCVD氮化硅薄膜的室温可见光发射被引量：2
《Journal of Semiconductors》2000年第5期517-520,共4页刘渝珍 石万全 韩一琴 刘世祥 赵玲莉 孙宝银 叶甜春 陈梦真 
中国科技大学研究生院院长择优基金
在 4.66e V的激光激发下 ,在室温下 LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见光 ,其峰位位置分别为 2 .97,2 .77,2 .55,2 .32 ,2 .1 0和 1 .90 e V的 6个 PL峰 ,建立了可见光发射的能隙态模型 。
关键词：LPCVD 光致发光 能隙态模型 氮化硅薄 
0.5μm分辨率同步辐射X射线光刻技术被引量：2
《微细加工技术》1999年第3期32-34,5,共4页谢常青 叶甜春 孙宝银 伊福廷 
报道了用 Ｘ 射线母掩模复制子掩模的工艺和用北京同步辐射装置（ Ｂ Ｓ Ｒ Ｆ）３ Ｂ Ｉ Ａ 光刻束线获得的 ０５μｍ 光刻分辨率的实验结果。
关键词：X射线光刻 分辨率 同步辐射 氮化硅薄膜 
LPCVD氮化硅薄膜室温高强度可见光发射被引量：6
《发光学报》1999年第1期37-40,共4页刘渝珍 石万全 刘世祥 姚德成 刘金龙 韩一琴 赵玲莉 孙宝银 叶甜春 陈梦真 
中国科学技术大学研究生院院长择优基金
在５．０ｅＶ的激光激发下，在室温下ＬＰＣＶＤ氮化硅薄膜可发射高强度可见荧光，其峰位位置分别为２．９７，２．７７，２．５５，２．３２，２．１０和１．９０ｅＶ的六个ＰＬ峰，建立了其可见荧光发射的能隙态模型，并初步讨论了其...
关键词：LPCVD 氮化硅 薄膜 可见荧光 室温 激光激发 
同步辐射x射线光刻实验研究被引量：1
《半导体技术》1997年第6期45-46,共2页谢常青 陈梦真 赵玲莉 孙宝银 韩敬东 朱樟震 张菊芳 
攀登计划PD930307资助项目
采用侧墙工艺技术研制深亚微米ｘ射线掩模，并在北京同步辐射装置光刻束线上进行了同步辐射ｘ射线曝光实验。
关键词：同步辐射 X射线光刻 X射线掩模 侧墙工艺 
同步辐射X射线光刻中光刻胶显影速率模型研究被引量：3
《科学通报》1995年第21期2010-2012,共3页谢常青 陈梦真 王玉玲 孙宝银 周生辉 朱樟震 
国家"攀登"计划资助项目
同步辐射X射线光刻自从被提出来以后,就日益引起了许多人的注意.它具有许多优点,比如高分辨率、大的工艺宽容度、高产量等,被普遍认为是一种很好的可应用于0.25μm以下的光刻技术.鉴于同步辐射X射线光刻技术在未来的光刻技术中所占的重...
关键词：同步辐射 X射线光刻 光刻胶 显影模型 光刻 
X射线镂空硅掩模在同步辐射X射线深层光刻中的应用
《真空科学与技术》1995年第3期176-178,共3页孙宝银 陈梦真 朱樟震 伊福廷 
阐述了X射线镂空硅掩模的研制及其在同步辐射深层光刻中的应用。在北京同步辐射国家实验室X射线光刻装置上，采用本文研制的X射线镂空硅掩模获得胶厚为30～40μm、侧壁很陡、边缘很直的X射线深层光刻胶图形。
关键词：镂空硅掩模 X射线 深层光刻 同步辐射 
同步辐射软X射线曝光工艺研究
《微细加工技术》1993年第4期23-28,共6页孙宝银 陈梦真 
本文介绍利用北京正负电子对撞机同步辐射软X射线光刻装置进行亚微米X射线光刻技术和深结构光刻的实验研究。通过对曝光剂量、掩模、抗蚀剂等工艺实验,初步得到适合于目前条件的较好的同步辐射X射线光刻工艺条件,并光刻出0.3μm的亚微...
关键词：光刻 同步辐射 曝光 集成电路 制造 
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