同步辐射X射线光刻中光刻胶显影速率模型研究  

作　　者：谢常青[1] 陈梦真[1] 王玉玲 孙宝银[1] 周生辉 朱樟震[2] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究中心,北京100029 [2]中国科学院高能物理研究所,北京100039

出　　处：《科学通报》1995年第21期2010-2012,共3页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家"攀登"计划资助项目

摘　　要：同步辐射X射线光刻自从被提出来以后,就日益引起了许多人的注意.它具有许多优点,比如高分辨率、大的工艺宽容度、高产量等,被普遍认为是一种很好的可应用于0.25μm以下的光刻技术.鉴于同步辐射X射线光刻技术在未来的光刻技术中所占的重要地位,我国光刻技术研究者于1990年在北京同步辐射装置(BSRF)3BIA束线上筹建了我国首座同步辐射X射线光刻站,并于1990年6月成功地进行了我国首次同步辐射X射线光刻实验.在同步辐射X射线光刻实验中,准确地选择曝光时间和曝光束流的乘积是很重要的(该乘积以下用XK来表示),因为它会直接影响到光刻胶的显影速率,从而影响到以下图形转换的质量.

关 键 词：同步辐射 X射线光刻 光刻胶 显影模型 光刻 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]