IMEC报道在高k／金属栅方面的进展  

作　　者：邓志杰（摘译） 

出　　处：《现代材料动态》2008年第8期14-15,共2页Information of Advanced Materials

摘　　要：在国际电子器件会议（正DM）上，比利时的肌EC公司报道了其在改进平面CMOS性能方面的进展，是在32nm工艺代采用铪基高k电介质和碳化钽（TaC）金属栅。栅电介质与金属栅之间使用薄的介电质盖帽获得了低的阈值电压Vt和导带与价带边低的有效功函数（WFs）。另外，对栅堆栈加工只使用激光退火导致极小的“可维持”栅长大幅减小并改善了对短沟道效应的控制。对鳍形FET（finFET）应用与此相同的加工，可望将它用于22nm工艺代。

关 键 词：金属栅 高K电介质 短沟道效应 电子器件 CMOS 阈值电压 激光退火 比利时 

分 类 号：TN820.11[电子电信—信息与通信工程] TN304.21