高K电介质

作品数：6被引量：6H指数：1
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：张邦维郑智宏陶凯邹世昌李玉香更多>>
相关机构：英特尔公司三星电子株式会社中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司更多>>
相关期刊：《半导体技术》《Chinese Journal of Electronics》《世界电子元器件》《电子工业专用设备》更多>>
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IMEC报道在高k／金属栅方面的进展
《现代材料动态》2008年第8期14-15,共2页邓志杰（摘译） 
在国际电子器件会议（正DM）上，比利时的肌EC公司报道了其在改进平面CMOS性能方面的进展，是在32nm工艺代采用铪基高k电介质和碳化钽（TaC）金属栅。栅电介质与金属栅之间使用薄的介电质盖帽获得了低的阈值电压Vt和导带与价带边低的有...
关键词：金属栅 高K电介质 短沟道效应 电子器件 CMOS 阈值电压 激光退火 比利时 
高k电介质及其设备
《电子工业专用设备》2008年第2期7-10,共4页翁寿松 
"2007年11月,英特尔量产高k电介质45nm微处理器"。它表明高k电介质/金属栅极技术已商业化。它可确保摩尔定律至少再延续10年。但是,ITRS2006修正版指出,高k电介质/金属栅极在低静态功耗(LSTP)逻辑IC的预期应用时间是2008年,高k电介质/...
关键词：高K电介质 金属栅极 氧化铪 设备 
IBM联盟选择TEL设备开发45nm技术
《世界电子元器件》2007年第11期12-12,共1页
IBM技术联盟日前表示将采用东京电子（TEL）的高K电介质设备用于45nm技术研发。IBM技术联盟成员包括：AMD、特许、英飞凌及三星。TEL与IBM在高K技术上的合作已有一段时间，目前，IBM正在使用TEL的CVD设备开发45nm及以下节点栅叠工艺。...
关键词：技术联盟 设备开发 TEL IBM 高K电介质 联盟成员 AMD 下节点 
高k栅极电介质材料与Si纳米晶体管被引量：5
《微纳电子技术》2006年第3期113-120,共8页张邦维 
Si MOS晶体管进入nm尺度后,原来通用的栅极介电材料SiO2已不能适应纳米晶体管继续小型化的需要,必须用高k栅极电介质材料取而代之。对Si纳米晶体管为什么要采用高k栅极电介质材料、此类材料的物理性能和电学性能、与Si之间的相容性以及...
关键词：电介质材料 高K电介质 物理和电性能 纳米晶体管 
离子束增强沉积法制备二氧化铪薄膜被引量：1
《半导体技术》2006年第3期209-211,共3页陶凯 俞跃辉 郑智宏 邹世昌 
利用离子束增强沉积(IBED)技术在硅衬底上沉积得到50nm的二氧化铪薄膜。卢瑟福背散射(RBS)的结果指出样品表面有过量氧元素存在。X射线光电子能谱(XPS)显示退火前后薄膜内部化学键没有变化。透射电子显微镜(TEM)表明界面处有非晶铪氧硅...
关键词：二氧化铪 离子束增强沉积 高K电介质 
The Post—deposition Anneal Effects on the Electrical Properties of HfO2 Gate Dielectric Deposited by Ion Beam Sputtering at Room Temperature
《Chinese Journal of Electronics》2003年第2期270-272,共3页KANGJinfeng LIUXiaoyan TIANDayu WANGWei LIANGuijun XIONGGuangcheng HANRuqi 
HfO2 high K gate dielectric films were fab-ricated on p-Si(100) substrates by ion beam sputtering at room temperature followed by a post-deposition anneal-ing (PDA). The PDA effects on the electrical properties of HfO...
关键词：HFO2 高K电介质 离子溅射 退火 氧化铪 
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