FLOTOX EEPROM存储管的简单模型分析和实验研究  

作　　者：吴君华[1] 吴正立[1] 蒋志[1] 王勇[1] 乔中林 朱钧[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所

出　　处：《微电子学》1997年第5期314-318,共5页Microelectronics

摘　　要：分析了ＦＬＯＴＯＸＥＥＰＲＯＭ的简单电容模型和擦写特性。实验研究了不同的器件结构参数和擦写脉冲对存储管特性的影响，表明隧道氧化层和多晶之间介质层的厚度对ＥＥＰＲＯＭ阈值窗口有很大的影响，采用指数上升波形或三角波形进行编程可以改善ＥＥＰＲＯＭ的耐久性。

关 键 词：数字集成电路 硅器件 存储器 EEPROM 

分 类 号：TP333.7[自动化与计算机技术—计算机系统结构] TN431.2[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]