玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜研究  

Study on Low-Temperature Deposition of GaN Films on Glass Substrate

作　　者：王文彦[1] 秦福文[1] 吴爱民[1] 宋世巍[1] 李瑞[1] 姜辛[1] 徐茵[1] 顾彪[1] 

机构地区：[1]大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室,辽宁大连116024

出　　处：《半导体技术》2008年第10期880-884,共5页Semiconductor Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60476008)

摘　　要：采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和霍尔测量系统对样品进行了检测,研究了其结晶性和电学特性随沉积温度的变化。结果表明,当沉积温度为250-430℃时,得到的GaN薄膜都呈现高度的c轴择优取向,结晶性较好;薄膜表面形貌较为平整且呈n型导电。GaN films were deposited on coming 7101 glass substrates by electron cyclotron resonance plasma enhanced metal organic chemical vapor deposition （ECR-PEMOCVD） system. With the increasement of the deposition temperature, the crystallinity of the GaN films was characterized experimentally by reflection high energy electron diffraction （RHEED）, X-ray diffraction （XRD） , atomic force microscope （AFM） and Hall measurements. The results show that GaN films deposited at 250- 430 ℃ are of high c-axis preferred orientation and have a good crystalline characteristics. The surface morphology and the conductivie type of the GaN films is smooth and n type, respectively.

关 键 词：电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积 氮化镓 低温沉积 玻璃衬底 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]