SiB800EDK：n通道功率MOSFET／肖特基二极管  

出　　处：《世界电子元器件》2009年第1期54-54,共1页Global Electronics China

摘　　要：Vishoy推出20Vn通道功率MOSFET＋肖特基二极管SiB800EDK，该器件采用1．6mm×1．6mm的热增强型Power-PAK SC-75封装。这款新型器件的推出，意味着Vishoy将其在100mA时具有0．32V低正向电压的肖特基二极管与具有在低至1．5V栅极驱动时规定的额定导通电阻的MOSFET进行了完美结合。

关 键 词：功率MOSFET 肖特基二极管 N通道 导通电阻 栅极驱动 正向电压 增强型 器件 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学] TN311.7