半导体C-V的测量  

作　　者：吉时利 

出　　处：《电子世界》2009年第9期19-20,共2页Electronics World

摘　　要：电容一电压（C—V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用C—V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析，包括双极结型晶体管（BJT）、JFET、III—V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管（CNT）和多种其他半导体器件。

关 键 词：半导体器件 测量 MOSFET MEMS器件 TFT显示器 结型晶体管 光电二极管 JFET 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学] TN386.1