应用于EEPROM的超薄SiO_2TDDB特性的研究  

An Investigation into TDDB of Tunneling Oxide in EEPROM′s

作　　者：薛刚[1] 吴正立[1] 蒋志[1] 曾莹[1] 朱钧[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子所

出　　处：《微电子学》1999年第3期187-189,199,共4页Microelectronics

摘　　要：阐述了应用于ＥＥＰＲＯＭ中的超薄隧道氧化层随时间的击穿特性。比较和分析了不同的可靠性测试方法，并对超薄氧化层生长工艺的优化进行了探讨。The time dependent dielectric breakdown of tunneling oxide used for EEPROM′s is investigated.Different accelerating methods for reliability test is analyzed and compared.Furthermore,the process optimization of thin oxides is discussed.

关 键 词：半导体工艺 EEPROM 超薄SiO2 TDDB 

分 类 号：TN305.5[电子电信—物理电子学] TN304.21