O^+注入SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜的研究  

作　　者：曾建明[1] 林成鲁[1] 郑立荣[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室

出　　处：《压电与声光》1999年第3期214-218,共5页Piezoelectrics & Acoustooptics

基　　金：国家"八六三"计划

摘　　要：研究了Ｈ＋注入对ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９（ＳＢＴ）铁电薄膜的晶体结构和电学性质的影响，并与含氢气氛退火作了比较，进而研究了Ｏ＋注入对ＳＢＴ铁电薄膜电学性质的影响。发现室温Ｏ＋注入，由于较严重的晶格损伤的存在，ＳＢＴ铁电薄膜的电学性能退化严重，而热靶Ｏ＋注入有助于克服氢对ＳＢＴ铁电薄膜的影响。

关 键 词：集成铁电 离子注入 铁电薄膜 热靶注入 

分 类 号：TM221.051[一般工业技术—材料科学与工程]