生长温度对长波长InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长的影响  

Temperature Effect on Long Wavelength InP/AlGaInAs/InP Growth by LP\|MOCVD

作　　者：陈博[1] 王圩[1] 

机构地区：[1]国家光电子工艺中心中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第12期1054-1058,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家"863"高技术计划;国家自然科学基金!(批准号:69896260)

摘　　要：研究不同生长温度下的ＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ材料ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长，用光致发光和Ｘ射线双晶衍射等测试手段分析了其材料特性，得到了室温脉冲激射１．３μｍ ＡｌＧａＩｎＡｓ 有源区ＳＣＨ－ＭＱＷ 结构材料，为器件制作研究打下了基础．The InP/AlGaInAs/InP material was grown under different temperature by Low Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition is investigated. The material characteristics were studied by photoluminescence (PL) and X\|ray double crystal diffraction rocking curve. The 1 3μm room temperature pulsed operation is achieved in the AlGaInAs/InP strained layer SCH\|MQW lasers. EEACC:4230J, 0510D, 4250

关 键 词：半导体激光器 INP ALGAINAS LP-MOCVD 生长温度 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]