SiR640DP/662DP：功率MOSFET  

出　　处：《世界电子元器件》2011年第5期31-31,共1页Global Electronics China

摘　　要：Vishay Intertechnology推出40V和60VN沟道TrenchFET功率MOSFET SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK SO-8封装，具有较低的导通电阻，以及较低的导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数。

关 键 词：功率MOSFET SO-8封装 导通电阻 栅极电荷 优值系数 N沟道 器件 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]