DLTS技术研究富氮SiO_xN_y薄介质膜的电学特性  

Study on the Electronic Characteristics of Nitrogen Rich SiO_xN _y Thin Dielectric Film With DLTS Technique

作　　者：章晓文[1] 陈蒲生[1] 

机构地区：[1]华南理工大学应用物理系,广州510641

出　　处：《半导体技术》1999年第6期20-23,28,共5页Semiconductor Technology

基　　金：广东省自然科学基金

摘　　要：采用深能级瞬态谱技术 （ＤＬＴＳ）， 测试了等离子体增强化学汽相淀积 （ＰＥＣＶＤ） 法低温制备的富氮的ＳｉＯｘＮｙ 栅介质膜的电学特性（界面态密度、俘获截面随禁带中能量的变化关系），结果表明，采用合适的ＰＥＣＶＤ低温工艺淀积ＳｉＯｘＮｙElectrical characteristics of nitrogen rich SiO x N y film produced by plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD)were tested by DLTS experiment.These include interface state density,capture cross section of interface state.It is found that thin gate medium film with better electrical characteristics can be achieved by depositing SiO x N y film with appropriate PECVD low temparaure technology.

关 键 词：电学特性 SiOxNy薄介质膜 DLTS PECVD 

分 类 号：O472.4[理学—半导体物理] TN304.055[理学—物理]