0.6μm SOI NMOS器件ESD性能分析及应用  

0.6μm SOI NMOS ESD Performance Analysis and Application

作　　者：罗静[1] 胡永强[1] 周毅[1] 邹巧云[1] 陈嘉鹏[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035

出　　处：《电子与封装》2011年第11期33-36,40,共5页Electronics & Packaging

摘　　要：ESD设计是SOI电路设计技术的主要挑战之一,文章介绍了基于部分耗尽0.6μm SOI工艺所制备的常规SOI NMOS器件的ESD性能,以及采用改进方法后的SOI NMOS器件的优良ESD性能。通过采用100ns脉冲宽度的TLP设备对所设计的SOI NMOS器件的ESD性能进行分析,结果表明:SOI NMOS器件不适合直接作为主要器件承担SOI电路的ESD保护作用,但通过采用工艺优化、设计结构改进等方法优化后,可以作为SOI输出缓冲器或电源与地之间ESD主要保护器件使用,承担SOI电路ESD保护的重要作用。ESD design is one of major challenges for SOI circuit design.This paper introduces the ESD performance of SOI NMOS and updated SOI NMOS by process and design methods for a partially depleted 0.6μm SOI process.Through ESD performance analysis of SOI NMOS by 100ns pulse width TLP test system,we show that SOI NMOS is not suitable for main ESD protection structure directly in SOI circuit.But with updated process and design methods,SOI NMOS is suitable for main ESD protection structure in output buffer and VDD-to-VSS ESD of SOI circuit.

关 键 词：静电放电 SOINMOS GGNMOS gcNMOS 

分 类 号：TN702[电子电信—电路与系统]