ALD中射频阻抗匹配器的设计与研究  

Design and research of RF impedance matching device in ALD

作　　者：孙小孟[1,2] 李勇滔[2] 夏洋[2] 李超波[2] 李英杰[2] 陈盛云[1] 赵章琰[2] 秦威[2] 

机构地区：[1]昆明理工大学信息工程与自动化学院,云南昆明650000 [2]中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室,北京100029

出　　处：《现代电子技术》2012年第3期202-203,206,共3页Modern Electronics Technique

基　　金：国家科技重大专项(2009ZX02037)

摘　　要：阐述原子层沉积系统(ALD)中射频阻抗匹配器的设计方案。利用ADS软件对阻抗匹配网络进行仿真,通过分析ALD真空腔室内等离子体产生前后的负载阻抗变化,结合仿真结果,提出等离子体产生过程中阻抗匹配网络的控制方法。经实验验证,该阻抗匹配器和控制方法可实现阻抗匹配。The design of RF impedance matching device in the atomic layer deposition （ALD） system is described. The impedance matching network was simulated with ADS. Through analyzing the load impedance characteristic before and after the plasma generating in the vacuum chamber, and combining with the simulation results, the control method of impedance matching network when the plasma produce is proposed. The experiment proves that impedance matching can be realized by this impedance matching device and the control method.

关 键 词：射频阻抗匹配器 阻抗匹配网络 ALD ADS 

分 类 号：TN710-34[电子电信—电路与系统]