HEMT小信号等效电路参数提取  

PARAMETERS EXTRACTION FOR HEMT SMALL-SIGNAL EQUIVALENT-CIRCUIT

作　　者：李洪芹[1] 孙晓玮 夏冠群[1] 程知群[1] 王德斌[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所,上海200050 [2]上海交通大学29系,上海200030

出　　处：《功能材料与器件学报》2000年第1期34-42,共9页Journal of Functional Materials and Devices

摘　　要：本文用HEMT小信号等效电路模型 ,考虑到HEMT与MESFET结构上的不同点 ,具体分析了HEMT小信号等效电路中串联电阻、寄生电感、寄生电容和本征元件参数的提取方法。采用这些方法 ,提取了HEMT器件 32 - 39GHz八个频率点的S参数值。实验结果表明 ,该方法简单有效 。A HEMT small-signal equivalent-circuit model is introduced in this paper. Considering the difference between HEMT and MESFET, a method of extracting series-resistance, parasitic inductance, parasitic capacitance and intrinsic element parameters for HEMT small-signal equivalent-circuit is described. Using these methods, the S parameter for HEMT in 32-39GHz range is extracted. Experimental results indicate that this method is simple and feasible.

关 键 词：HEMT 参数提取 小信号等效电路 晶体管 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]