李洪芹

作品数：9被引量：29H指数：3
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供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：砷化镓晶体管SINPHEMTGAAS更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《压电晶体技术》《物理学报》《功能材料与器件学报》《红外与毫米波学报》更多>>
所获基金：国防科技技术预先研究基金中国科学院重点实验室基金更多>>
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FMCW毫米波雷达中频滤波器的研究被引量：12
《红外与毫米波学报》2001年第6期472-476,共5页盛怀茂 李玉芳 夏冠群 孙晓玮 李洪芹 金昶明 
国防预研基金 ( 96 .J2 .4.2 )~~
针对寄生调幅是影响 FMCW毫米波雷达作用距离的重要因素 ,讨论了中频滤波器在 FMCW毫米波雷达系统中的作用 ,研究了滤波器性能与雷达作用距离的关系 .根据分析表明 ,对中频滤波器进行了 CAD优化 。
关键词：寄生调幅 中频滤波器 FMCW毫米波雷达 
FMCW毫米波防撞雷达系统被引量：11
《电子产品世界》2001年第2期58-59,共2页盛怀茂 夏冠群 孙晓伟 李洪芹 李玉芳 
介绍了主动汽车防碰撞 ＦＭＣＷ毫米波雷达系统原理，报导了我们研制的 ＳＡＥ—１００型毫米波防碰撞雷达样机。
关键词：毫米波雷达 汽车防碰撞 FMCW 
GaAs单片声电荷转移器件的研究与发展
《固体电子学研究与进展》2000年第4期396-406,共11页李洪芹 孙晓玮 夏冠群 
声电荷转移 (Acoustic charge transport,简写 ACT)器件是 2 0世纪 80年代初出现的一种新型信号处理器件 ,它集中体现了声表面波 (SAW)和半导体技术的优点 ,能与其它信号处理器件进行单片集成 ,完成各种信号处理功能 ,在军事防御和商业...
关键词：砷化镓 声电荷转移 信号处理 
SiN_x钝化膜厚度对pHEMT的性能影响
《功能材料与器件学报》2000年第3期165-169,共5页李洪芹 夏冠群 孙晓玮 
深入地研究了SiNx钝化膜厚度对AlGaAs/InGaAs/GaAspHEMT电性能的影响，实验结果表明，pHEMT器件的截止频率随着氮化硅钝化膜厚度的增加而下降；当膜厚超过200nm时，将影响pHEMT器件电特性。
关键词：pHYEMT SiNx钝化膜厚度 电性能 晶体管 
GaAsMMIC双栅MESFET混频器设计与实验研究
《固体电子学研究与进展》2000年第2期128-134,共7页孙晓玮 程知群 夏冠群 李洪芹 翁建华 
中国科学院重点项目资助
对微波单片集成 (简称 MMIC)双栅 MESFET混频器的设计理论和工艺技术进行较为细致的研究。根据双栅 MESFET的理论分析与实验结果 ,建立了一种栅压调制 I- V特性的经验模型 ,推导了双栅 FET混频器变频增益公式。分析了栅压对改变非线性...
关键词：砷化镓 微波单片集成电路 场效应晶体管 混频器 
HEMT小信号等效电路参数提取被引量：2
《功能材料与器件学报》2000年第1期34-42,共9页李洪芹 孙晓玮 夏冠群 程知群 王德斌 
本文用HEMT小信号等效电路模型 ,考虑到HEMT与MESFET结构上的不同点 ,具体分析了HEMT小信号等效电路中串联电阻、寄生电感、寄生电容和本征元件参数的提取方法。采用这些方法 ,提取了HEMT器件 32 - 39GHz八个频率点的S参数值。实验结果...
关键词：HEMT 参数提取 小信号等效电路 晶体管 
158MHz GaAs声表面波固定延迟线的研制被引量：1
《Journal of Semiconductors》2000年第1期93-96,共4页李洪芹 夏冠群 
报道了ＧａＡｓ声表面波（ＳＡＷ）固定延迟线的设计方法和ＳＡＷ 器件金属剥离制造新工艺．研制出ＧａＡｓ ＳＡＷ 延迟线，典型参数为：中心频率１５８ＭＨｚ，插入损耗低于５５ｄＢ，延迟时间１．５μｓ．
关键词：延迟线 声表面波 砷化镓 声表面波器件 
AlGaInP/GaAs HBT制备中质子注入隔离被引量：3
《物理学报》2000年第2期375-378,共4页程知群 孙晓玮 夏冠群 李洪芹 盛怀茂 钱蓉 
国家"九五"攻关!(批准号 :97 773 0 3 0 1)资助的课题
对HBT工艺中质子隔离注入及其掩膜方法进行了研究.通过计算确定了最佳注入剂量.在一定的温度下退火,可增强隔离效果,最佳退火温度依赖于离子注入剂量,当温度增高时,电阻率又开始下降,并趋向恢复到退火前的状态.采用Si3N4加光刻胶双层掩...
关键词：AlGaInP/GaAs 异质结比极型晶体管 质子注入隔离 
Quick Basic在声表面滤波器计算机辅助设计中的应用
《压电晶体技术》1999年第1期16-20,共5页李洪芹 毛友德 
关键词：QB 应用程序 声表面波滤波器 计算机辅助设计 
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