一种单粒子翻转机制及其解决方法  

A kind of mechanism of Single Event Upset and its mitigation

作　　者：王亮[1] 岳素格[1] 孙永姝[1] 

机构地区：[1]北京微电子技术研究所抗辐射加固工程中心,北京100076

出　　处：《信息与电子工程》2012年第3期355-358,共4页information and electronic engineering

摘　　要：针对某款超深亚微米专用集成电路(ASIC)出现的异常单粒子翻转现象,分析了导致异常翻转的机制,针对这种机制提出了2种解决方法,并给出了2种解决方法的适用范围。重离子试验结果表明,采用新方法实现的时序逻辑具备更高的翻转阈值和更低的翻转截面,基于新方法研制的ASIC产品的抗单粒子翻转能力得到显著提高。A kind of mechanism of Single Event Upset（SEU） for Application Specific Integrated Circuit （ASIC） was analyzed and two mitigation methods were proposed and verified by heavy ion irradiation test. The application ranges of these two methods were given. The ability of the hardened ASIC against SEU was improved greatly.

关 键 词：单粒子翻转 单粒子瞬态 时序单元电路 抗辐射加固 超深亚微米集成电路 

分 类 号：TN492[电子电信—微电子学与固体电子学]