王亮

作品数：5被引量：14H指数：3
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供职机构：中国航天北京微电子技术研究所更多>>
发文主题：脉宽单粒子翻转寄生单粒子瞬态脉冲脉冲特性更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《电子技术应用》《微电子学与计算机》更多>>
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多电压集成电路的瞬时剂量率辐射效应试验研究被引量：3
《电子技术应用》2017年第1期6-9,共4页李同德 赵元富 王亮 郑宏超 舒磊 刘家齐 于春青 
瞬时剂量率辐射会对集成电路产生不同程度的影响,产生扰动、翻转、闩锁甚至烧毁等问题。针对一款具有两种电源电压的0.18μm SRAM电路,利用"强光一号"装置进行了瞬时γ剂量率辐射试验,研究了SRAM电路的内核电压和IO电压受扰动后的恢复时...
关键词：瞬时剂量率 多电压 γ脉冲 扰动 
65nm反相器单粒子瞬态脉宽分布的多峰值现象被引量：3
《电子技术应用》2017年第1期20-23,共4页刘家齐 赵元富 王亮 郑宏超 舒磊 李同德 
基于65 nm工艺下单粒子瞬态脉宽检测电路,在重离子辐照下,对目标单元单粒子瞬态脉宽进行了测试。针对实验结果中单粒子瞬态脉宽分布出现多峰的现象进行了分析。详细对比了反相器多峰现象与LET值、温度、阈值电压间的关系。通过TCAD仿真...
关键词：单粒子瞬态 多峰现象 65 nm反相器 
晶体管栅形状对单粒子瞬态脉冲特性的影响研究被引量：4
《微电子学与计算机》2014年第10期76-80,共5页赵馨远 张晓晨 王亮 岳素格 
通过三维器件模拟仿真,研究了基于CMOS 0.18μm工艺下标准条形栅和环形栅结构MOS晶体管的单粒子瞬态响应.研究结果表明,单粒子轰击条形栅器件与环形栅器件产生的单粒子瞬态脉冲特性具有非常大的区别.分析了栅形状对单粒子瞬态的影响在P...
关键词：单粒子瞬态脉冲 瞬态脉宽 环形栅 寄生双极放大效应 
一种单粒子翻转机制及其解决方法被引量：2
《信息与电子工程》2012年第3期355-358,共4页王亮 岳素格 孙永姝 
针对某款超深亚微米专用集成电路(ASIC)出现的异常单粒子翻转现象,分析了导致异常翻转的机制,针对这种机制提出了2种解决方法,并给出了2种解决方法的适用范围。重离子试验结果表明,采用新方法实现的时序逻辑具备更高的翻转阈值和更低的...
关键词：单粒子翻转 单粒子瞬态 时序单元电路 抗辐射加固 超深亚微米集成电路 
两个低开销抗单粒子翻转锁存器被引量：3
《微电子学与计算机》2007年第12期221-224,共4页王亮 赵元富 岳素格 
提出了两个抗单粒子翻转(SEU)的锁存器电路SEUT-A和SEUT-B。SEU的免疫性是通过将数据存放在不同的节点以及电路的恢复机制达到的。两个电路功能的实现都没有特殊的器件尺寸要求,所以都可以由小尺寸器件设计完成。提出的结构通过标准的0...
关键词：单粒子翻转 SEU 锁存器 辐射加固 CMOS 设计加固 
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