李同德

作品数：2被引量：5H指数：2
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供职机构：中国航天北京微电子技术研究所更多>>
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多电压集成电路的瞬时剂量率辐射效应试验研究被引量：3
《电子技术应用》2017年第1期6-9,共4页李同德 赵元富 王亮 郑宏超 舒磊 刘家齐 于春青 
瞬时剂量率辐射会对集成电路产生不同程度的影响,产生扰动、翻转、闩锁甚至烧毁等问题。针对一款具有两种电源电压的0.18μm SRAM电路,利用"强光一号"装置进行了瞬时γ剂量率辐射试验,研究了SRAM电路的内核电压和IO电压受扰动后的恢复时...
关键词：瞬时剂量率 多电压 γ脉冲 扰动 
65nm反相器单粒子瞬态脉宽分布的多峰值现象被引量：3
《电子技术应用》2017年第1期20-23,共4页刘家齐 赵元富 王亮 郑宏超 舒磊 李同德 
基于65 nm工艺下单粒子瞬态脉宽检测电路,在重离子辐照下,对目标单元单粒子瞬态脉宽进行了测试。针对实验结果中单粒子瞬态脉宽分布出现多峰的现象进行了分析。详细对比了反相器多峰现象与LET值、温度、阈值电压间的关系。通过TCAD仿真...
关键词：单粒子瞬态 多峰现象 65 nm反相器 
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