于春青

作品数：3被引量：8H指数：2
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发文期刊：《电子技术应用》《微电子学与计算机》《核电子学与探测技术》更多>>
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多电压集成电路的瞬时剂量率辐射效应试验研究被引量：3
《电子技术应用》2017年第1期6-9,共4页李同德 赵元富 王亮 郑宏超 舒磊 刘家齐 于春青 
瞬时剂量率辐射会对集成电路产生不同程度的影响,产生扰动、翻转、闩锁甚至烧毁等问题。针对一款具有两种电源电压的0.18μm SRAM电路,利用"强光一号"装置进行了瞬时γ剂量率辐射试验,研究了SRAM电路的内核电压和IO电压受扰动后的恢复时...
关键词：瞬时剂量率 多电压 γ脉冲 扰动 
基于激光实验探测32位微处理器的敏感体深度
《微电子学与计算机》2015年第6期171-175,共5页于春青 范隆 岳素格 陈茂鑫 郑宏超 
为了更好地设置不同错误率预估模型的参数以及为抗辐射加固设计提供指导,以微处理器为例,针对敏感体深度这一参数进行了探测.利用脉冲激光局域辐照以及聚焦深度可调的优势对180nm体硅CMOS工艺的32位微处理器的缓存(cache)区域、寄存器堆...
关键词：微处理器 敏感体深度 激光背部辐照 错误率预估 
SRAM型FPGA单粒子效应敏感性分析研究被引量：5
《核电子学与探测技术》2012年第3期272-278,共7页杜守刚 范隆 岳素格 郑宏超 于春青 董攀 杨晓飞 贾海涛 
首先描述了典型的SRAM型FPGA内部通常包含的三类基本资源,并分析三类基本资源内部不同功能的电路单元对单粒子效应的敏感性,归纳出Virtex系列SRAM型FPGA中6种类型的单粒子效应敏感结构单元,并得出这些敏感结构单元的单粒子翻转、单粒子...
关键词：SRAM型FPGA 单粒子效应敏感性 单粒子翻转 单粒子功能中断 单粒子闩锁 
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