单粒子瞬态脉冲

作品数：18被引量：37H指数：4
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相关机构：中国科学院微电子研究所中国科学院国防科学技术大学北京时代民芯科技有限公司更多>>
相关期刊：《常州工学院学报》《湘潭大学学报（自然科学版）》《微电子学与计算机》《物理学报》更多>>
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基于双双指数电流源法的CMOS电路单粒子效应电路级仿真被引量：4
《现代应用物理》2019年第4期65-70,共6页王坦 丁李利 郭红霞 罗尹虹 赵雯 潘霄宇 
强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室专项经费资助项目(SKLIPR1603)
基于瞬时电流模型,采用双-双指数电流源法,在65nm工艺节点集成电路基本单元中开展了单粒子效应的电路级仿真。采用器件/电路混合仿真的方式,提取瞬时电流特征参数,在目标电路敏感节点插入内建电流源表征单粒子效应对电路的影响;对组合...
关键词：单粒子效应 双指数电流源 单粒子瞬态脉冲 电路级仿真 软错误 
2T2C铁电存储单元读写电路的单粒子翻转效应研究
《湘潭大学学报（自然科学版）》2019年第4期76-83,共8页高占占 钟向丽 侯鹏飞 宋宏甲 李波 王金斌 
国家自然科学基金项目(11875229)
针对2T2C铁电存储单元读写电路进行了单粒子翻转效应的仿真模拟,研究了单粒子入射读写电路的不同敏感节点对存储数据的影响,并分析了数据读写出错的内在机制.结果表明:单粒子入射存储阵列中的字线晶体管时,存储数据未发生翻转,这主要是...
关键词：铁电存储单元 单粒子翻转 单粒子瞬态脉冲 
一种抗单粒子瞬态辐射效应的自刷新三模冗余触发器被引量：4
《电子与封装》2018年第9期36-38,41,共4页曹靓 田海燕 王栋 
数字集成电路在宇宙空间中会受到单粒子效应的影响,随着半导体工艺的进步,器件尺寸不断缩小,单粒子效应也越发显著。单粒子瞬态脉冲对电路的影响随着电路工作主频越来越高也变得越发严重,甚至可能使电路功能完全失效。在自刷新三模冗余...
关键词：单粒子瞬态脉冲 抗辐射加固 触发器 三模冗余 
一种单粒子效应加固RS触发器电路设计被引量：1
《微电子学与计算机》2018年第9期55-58,63,共5页王佳 李萍 郑然 魏晓敏 胡永才 
国家自然科学基金项目(61504108;61504109);中央高校基本科研业务费专项资金(3102017zy028);陕西省自然科学基金项目(2017JM6084)
提出了一种结构新颖的RS触发器电路结构.基于双互锁存储单元结构,实现了单粒子翻转加固.为进一步消除单粒子瞬态的影响,提出的电路采用了一个保护门电路和一个施密特触发器.该电路基于一种0.25μm商用标准CMOS工艺进行了电路设计和版图...
关键词：单粒子效应 单粒子翻转 单粒子瞬态脉冲 辐射加固 触发器 
一种选择单粒子瞬态脉冲敏感结点的方法
《常州工学院学报》2018年第2期37-41,共5页宋依青 严佳倩 
常州工学院大学生创新创业训练计划项目(J2016054)
逻辑电路中NMOS管或者PMOS管受到高能粒子撞击,会产生单粒子瞬态脉冲错误。针对这种现象,提出一种识别和选择电路中敏感结点的新方法,并与门的逻辑掩蔽效应加权综合考虑,对所选择的结点通过增大恢复管的尺寸来加固,以减小单粒子效应导...
关键词：单粒子瞬态脉冲 逻辑掩蔽 软错误率 单粒子加固 
结深对65nm体硅CMOS晶体管单粒子瞬态脉冲的影响被引量：1
《计算机工程与科学》2017年第12期2176-2184,共9页刘蓉容 池雅庆 窦强 
使用TCAD模拟工具,分析了纳米工艺下N+-N结、P+-P结和PN结深度的变化对PMOS以及NMOS单粒子瞬态(SET)脉冲宽度的影响,并考虑了电压温度变化下结深对晶体管单粒子瞬态的影响程度。结果表明,N+-N结的变化对PMOS晶体管单粒子瞬态脉冲宽度的...
关键词：N’-N结 P’-P结 PN结 单粒子瞬态 PMOS NMOS 脉冲宽度 
PDSOI工艺下单粒子瞬态脉冲宽度分析被引量：1
《太赫兹科学与电子信息学报》2016年第6期-,共5页吴驰 毕津顺 李博 李彬鸿 罗家俊 韩郑生 
国家自然科学基金资助项目(面上项目;重点项目;重大项目)(61176095;61404169)
单粒子瞬态脉冲宽度是评价电子系统软错误率的重要参数之一。针对0.13μm、部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺下的反相器链,解析地计算了反相器中产生的单粒子瞬态脉冲宽度,仿真了产生的单粒子瞬态脉冲在反相器链中传播时的临界脉冲宽度...
关键词：单粒子瞬态 脉冲宽度 电气掩蔽 锁存掩蔽 
Flash型FPGA单粒子瞬态脉冲分段滤除电路设计
《微电子学与计算机》2016年第2期63-67,共5页史方显 曾立 王淼 曹建勋 权妙静 
国家自然科学基金(41274190;41074130;41327802)
为提高FPGA在辐射环境条件下的抗单粒子脉冲（SET）的能力，设计了一种由多个延时单元和并联逻辑保护单元（Guard Gate，GG）构成的SET脉冲分段滤除电路．将SET脉冲处理延时减小至传统方法的10．42％～49．8％，从而提高电路对SET脉冲...
关键词：单粒子瞬态脉冲 逻辑保护单元 Flash型FPGA 
晶体管栅形状对单粒子瞬态脉冲特性的影响研究被引量：4
《微电子学与计算机》2014年第10期76-80,共5页赵馨远 张晓晨 王亮 岳素格 
通过三维器件模拟仿真,研究了基于CMOS 0.18μm工艺下标准条形栅和环形栅结构MOS晶体管的单粒子瞬态响应.研究结果表明,单粒子轰击条形栅器件与环形栅器件产生的单粒子瞬态脉冲特性具有非常大的区别.分析了栅形状对单粒子瞬态的影响在P...
关键词：单粒子瞬态脉冲 瞬态脉宽 环形栅 寄生双极放大效应 
Buffer单元单粒子效应及其若干影响因素研究被引量：1
《电子器件》2014年第2期186-189,共4页杜明 邹黎 李晓辉 邱恒功 邓玉良 
基于标准0.13μm工艺使用Sentaurus TCAD软件采用3D器件/电路混合模拟方式仿真了buffer单元的单粒子瞬态脉冲。通过改变重离子的入射条件,得到了一系列单粒子瞬态电流脉冲(SET)。分析了LET值、入射位置、电压偏置等重要因素对SET峰值和...
关键词：BUFFER 电荷收集 单粒子瞬态脉冲 TCAD仿真 
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