InGaN/AlGaN双异质结蓝光和绿光发光二极管  

InGaN/AlGaN DH Blue and Green LED

作　　者：陆大成[1] 刘祥林[1] 韩培德[1] 王晓晖[1] 汪度[1] 袁海荣[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京100083

出　　处：《高技术通讯》2000年第5期43-45,共3页Chinese High Technology Letters

基　　金：863计划资助项目!( 863 715 0 10 0 0 10 )

摘　　要：报道了用LP MOVPE技术在蓝宝石 (α Al2 O3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构 ,并研制成功发射波长分别为 4 30～ 4 50nm和 52 0～ 540nm的蓝光和绿光LED。据查 。Zn and Si co doped InGaN/AlGaN double heterostructure LED wafers have been grown on Al 2O 3 substrate by LP MOVPE. Blue LEDs with wavelength of 430～450 nm and green LEDs with wavelength of 520～540 nm have been fabricated. Upon inquiry, this is the first report on green GaN based LED in China.

关 键 词：双异质结 蓝光LED 绿光LED 发光二极管 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]