创意电子发布28nm DDR3—2133／LPDDR2复合式IP  

出　　处：《集成电路应用》2013年第1期42-42,共1页Application of IC

摘　　要：创意电子日前推出28nm DDR3—2133／LPDDR2组合PHY与控制器IP。全新的复合式IP使用台积电28nmHPM制程，提供PHY、控制器与DDR系统完整的解决方案。

关 键 词：DDR3 复合式 电子 创意 DDR系统 控制器 PHY 台积电 

分 类 号：TP911.7[自动化与计算机技术]