RHEED衍射花样与晶体表面形貌的关联性研究  

Correlation Study between RHEED Diffraction Patterns and Crystal Surface Morphology

作　　者：王继红[1] 罗子江[1,2] 周勋[1,3] 郭祥[1] 周清[1] 刘珂[1] 丁召[1] 

机构地区：[1]贵州大学理学院,贵州贵阳550025 [2]贵州财经学院教育管理学院,贵州贵阳550004 [3]贵州师范大学物理与电子科学学院,贵州贵阳550001

出　　处：《贵州大学学报（自然科学版）》2013年第2期73-76,共4页Journal of Guizhou University:Natural Sciences

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60866001);贵州省优秀科技教育人才省长专项基金(黔省专合字(2009)114号);贵州省留学人员科技项目2010年(Z103233);贵州省科学技术基金(黔科合J字[2011]2095号);贵州大学青年教师科研基金项目(2012年001)

摘　　要：采用带有RHEED的MBE技术,在GaAs(001)单晶衬底上生长不同厚度(0 ML,4 ML,15 ML)的In0.53Ga0.47As外延层,实时监测RHEED衍射图像的演变过程,生长结束后采用STM对其形貌进行扫描分析。研究分析结果表明,随着In0.53Ga0.47As外延层的不断加厚,RHEED衍射图像从最初的清晰明锐、重构可辨逐渐演变到背景模糊、条纹断裂,最后进入完全的网格状斑点状态;与此同时,对应的表面形貌也从原子级的有序平坦表面逐渐过渡到部分3D岛形成、粗糙度提高,最后表面完全由3D岛构成,表面进入粗糙状态。In0.53Ga0.47As films （0 ML, 4 ML, 15 ML） were prepared on GaAs （001） substrate by utilizing the molecular beam epitaxy technology. After growth and annealing perature then transferred into STM for scanning. The STM images clear and bright to dim then turn into spotty during the increasing the samples was quenched down to room tem-show that RHEED patterns should change from of thickness of In0. 53 Ga0.47 As films ; at the same time, surface morphology should experience from ordered fiat to form 3D islands partially then 3D islands were the main character on its surface, and the surface turn into rough status.

关 键 词：RHEED STM 平坦 粗糙 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学] O47[理学—半导体物理]