肖特基二极管背面金属化工艺技术  

作　　者：薛建国 

机构地区：[1]天水天光半导体有限责任公司,甘肃天水741000

出　　处：《中国科技信息》2013年第15期111-111,共1页China Science and Technology Information

摘　　要：本文介绍了肖特基二极管背面金属化原理和制作过程,针对背面多层金属化系统的特点,分析了影响蒸发镀膜质量的原因,提出了相关解决措施。

关 键 词：电子束蒸发 肖特基二极管 欧姆接触 多层金属化 

分 类 号：TN311.7[电子电信—物理电子学]