GaAs(001)表面重构  

GaAs(001) Surface Reconstruction

作　　者：罗子江[1,2] 周勋[2,3] 王继红[2] 郭祥[2] 丁召[2] 

机构地区：[1]贵州财经大学教育管理学院,贵阳550004 [2]贵州大学理学院,贵阳550025 [3]贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳550001

出　　处：《材料导报》2014年第9期15-19,29,共6页Materials Reports

基　　金：国家自然科学基金(60866001);教育部博士点基金(20105201110003);贵州师范大学2012年博士基金;贵州省科学技术基金(黔科合J字[2011]2095号);贵州大学青年教师科研基金(2012年001号);2013年度贵州财经大学引进人才科研项目

摘　　要：GaAs的高迁移率与其表面重构和表面形貌有密切关联,对于GaAs表面重构的研究一直是研究低维半导体的重点和难点。重点回顾了几十年来研究者们对于GaAs(001)表面重构的研究成果,结合所在实验室最近的实验数据,对GaAs(001)表面重构的相关研究成果进行了汇总和遴选,重点讲述了在实际应用中常用的几种表面重构;从富As表面的C(4×4)重构、不同(2×4)重构到逐渐富Ga的(n×6)重构、(4×2)重构,结合RHEED衍射花样、STM扫描图片以及球棍模型,对它们的倒、实空间图像以及理论模型都进行了深入的探讨和研究,为将来进行GaAs(001)表面的更深入研究打下基础并提供数据和理论支持。Surface reconstruction and morphology of GaAs was closely related to its high mobility,surface reconstruction had become the focus and difficulty of low dimensional semiconductor.Combined our recently experimental data,the research results on GaAs surface reconstructions in the past several decades are reviewed.Some reconstructions which have applied in practice broadly such as C（4×4）,（2×4）,（n×6） and （4×2） reconstructed are depicted in detail,whose reciprocal space,real space images and reconstruction units of them are narrated deeply from the RHEED patterns and STM images.On the basis of this study,a solid foundation is established for the study of GaAs（001） surface more deeply in the future.

关 键 词：RHEED STM GAAS(001) 表面重构 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学] O47[理学—半导体物理]