SOINMOSFET沟道热载流子的应力损伤  

Degradation Induced by Channel Hot-Carriers Effect in SOI NMOSFET's

作　　者：郝跃[1] 朱建纲[1] 郭林[2] 张正幡[2] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,西安710071 [2]四川固体电路研究所,重庆400060

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第4期486-490,共5页半导体学报（英文版）

基　　金："九五"国防预研资助!项目 (编号 :8.5 .3.4)&&

摘　　要：研究了沟道热载流子应力所引起的 SOI NMOSFET的损伤 .发现在中栅压应力 (Vg≈ Vd/ 2 )和高栅压应力(Vg≈ Vd)条件下 ,器件损伤表现出单一的幂律规律 ;而在低栅压应力 (Vgs≈ Vth)下 ,多特性的退化规律便会表现出来 .同时 ,应力漏电压的升高、应力时间的延续都会导致退化特性的改变 .这使预测 SOI器件的寿命变得非常困难 .The degradation induced by channel hot-carriers effect in SOI NMOSFET,namely SIMOX structure,is investigated.At moderate or high gate voltage stress,the single-power law degradation is shown;but at a low gate voltage bias it is multi-behavioral parameter degradation that is found,so it is very difficult to predict the SOI MOSFET's age.[KH8/9D]

关 键 词：SOI 热载流子 阈值电压 NMOSFET 应力损伤 场效应晶体管 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]