位错对n型GaN光助电化学腐蚀的中止作用  

Etch-stop Effect of Dislocations in Photoelectrochemical Etching Process of N-type GaN

作　　者：陈克林[1] 张荣[1] 王国鹏[1] 俞慧强[1] 顾书林[1] 沈波[1] 施毅[1] 王慧田[1] 郑有 

机构地区：[1]南京大学物理系固体微结构国家重点实验室,南京210093

出　　处：《高技术通讯》2001年第4期94-95,98,共3页Chinese High Technology Letters

基　　金：863计划! ( 863 715 0 0 1 0 2 2 0;863 715 0 11 0 0 3 1;863 3 0 7 12 3 0 5 );国家自然科学基金!资助项目 ( 699760 14;698

摘　　要：对用氢化物气相外延 (HVPE)方法生长的n型GaN进行光助电化学 (PEC)腐蚀研究 ,发现了位错中止腐蚀的直接证据 ,并对其机理作了探讨。Photoelectrochemical (PEC) etching of Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) grown n type GaN has been investigated Direct evidence of etch stop effect of dislocations has been found and discussedi.

关 键 词：氢化物气相外延 光助电化学腐蚀 位错中止腐蚀 氮化镓 

分 类 号：TG172[金属学及工艺—金属表面处理]