陈克林

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供职机构：南京大学更多>>
发文主题：GAN氮化镓材料氮化镓氮化物N型GAN更多>>
发文领域：理学金属学及工艺更多>>
发文期刊：《高技术通讯》更多>>
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位错对n型GaN光助电化学腐蚀的中止作用
《高技术通讯》2001年第4期94-95,98,共3页陈克林 张荣 王国鹏 俞慧强 顾书林 沈波 施毅 王慧田 郑有 
863计划! ( 863 715 0 0 1 0 2 2 0;863 715 0 11 0 0 3 1;863 3 0 7 12 3 0 5 );国家自然科学基金!资助项目 ( 699760 14;698
对用氢化物气相外延 (HVPE)方法生长的n型GaN进行光助电化学 (PEC)腐蚀研究 ,发现了位错中止腐蚀的直接证据 ,并对其机理作了探讨。
关键词：氢化物气相外延 光助电化学腐蚀 位错中止腐蚀 氮化镓 
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