低剂量SIMOX圆片研究  

Study of Low Dose SIMOX Wafer

作　　者：陈猛[1] 陈静[1] 郑望[1] 李林[1] 牟海川[1] 林梓鑫[1] 俞跃辉[1] 王曦[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所,上海200050

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第8期1019-1024,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (No.5 992 5 2 0 5 )

摘　　要：用二次离子质谱、剖面透射电镜、高分辨电镜以及化学增强腐蚀法表征了低剂量 SIMOX圆片的结构特征 .结果显示 ,选择恰当的剂量能量窗口 ,低剂量 SIMOX圆片表层 Si单晶质量好、线缺陷密度低埋层厚度均匀、埋层硅岛密度低且硅 /二氧化硅界面陡峭 .这些研究表明 ,低剂量 SIMOX圆片制备是很有前途的The structure of low dose SIMOX wafers is characterized by SIMIS,XTEM,HRTEM and Secco.The results indicate that low dose S IMOX wafers have good superficial silicon layer with low threading dislocation d ensity,uniform BOX with low silicon island density and a sharp Si/SiO 2 interf ace.It suggests that the low dose is one of the most promising SIMOX synthesis t echnologies.

关 键 词：低剂量 线缺陷密度 SIMOX SOI 集成电路 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]