郑望

作品数：4被引量：7H指数：2
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供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：SOISIMOX圆片低剂量SIMOX集成电路更多>>
发文领域：电子电信金属学及工艺更多>>
发文期刊：《功能材料与器件学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
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等离子体浸没式离子注入圆形薄片均匀性研究被引量：1
《功能材料与器件学报》2002年第1期69-72,共4页江炳尧 郑望 王曦 
采用PIC(Particalincall)方法考察了等离子体浸没式离子注入工艺中,样品和靶台的几何尺寸、形状及防止溅射沾污的绝缘材料对于注入离子径向分布的影响。并对模拟结果进行了讨论分析。结果表明,影响剂量分布的主要因素是基片和靶台的横...
关键词：等离子体浸没式离子注入 圆形薄片 均匀性 PⅢ PIC 等离子鞘层 
低剂量SIMOX圆片线缺陷和针孔的研究被引量：2
《功能材料与器件学报》2001年第4期431-433,共3页郑望 陈猛 陈静 林梓鑫 王曦 
国家自然科学基金(No.59925205)
用Secco法、Cu-plating法分别表征了低剂量SIMOX圆片顶层硅线缺陷、埋层的针孔密度。结果显示,低剂量SIMOX圆片的顶层硅缺陷密度低,但埋层质量稍差。通过注入工艺和退火过程的进一步优化,低剂量SIMOX将是一种有前途的SOI材料制备工艺。
关键词：SOI SIMOX Secco Cu-plating 线缺陷 针孔 
低剂量SIMOX圆片研究被引量：3
《Journal of Semiconductors》2001年第8期1019-1024,共6页陈猛 陈静 郑望 李林 牟海川 林梓鑫 俞跃辉 王曦 
国家自然科学基金资助项目 (No.5 992 5 2 0 5 )
用二次离子质谱、剖面透射电镜、高分辨电镜以及化学增强腐蚀法表征了低剂量 SIMOX圆片的结构特征 .结果显示 ,选择恰当的剂量能量窗口 ,低剂量 SIMOX圆片表层 Si单晶质量好、线缺陷密度低埋层厚度均匀、埋层硅岛密度低且硅 /二氧化硅...
关键词：低剂量 线缺陷密度 SIMOX SOI 集成电路 
低剂量SIMOX圆片表层硅缺陷密度被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第7期871-874,共4页郑望 陈猛 陈静 林梓鑫 王曦 
国家自然科学基金委员会国家杰出青年基金资助项目 (批准号 :5 992 5 2 0 5)
用增强化学腐蚀法研究了低剂量 SIMOX- SOI材料表层硅质量与实验参数的关系 .结果表明 ,注入剂量和能量对表层硅质量有明显影响 .通过对注入剂量和能量的优化 ,表层硅线缺陷密度可低于 10 4cm- 2 .在注入能量为16 0 ke V时 ,获得低线缺...
关键词：SOI 缺陷密度 半导体 硅 集成电路 
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