基于硅表面加工工艺的射频体声波滤波器研究  

Study of RF-MEMS BAW Filter Using Surface Micromachining

作　　者：丛鹏[1] 刘燕翔[1] 任天令[1] 刘理天[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子所,北京100084

出　　处：《压电与声光》2002年第1期1-3,共3页Piezoelectrics & Acoustooptics

基　　金："九七三"重大基金资助项目 (G19990 3 3 10 5 );国家自然科学基金资助项目 (6980 60 0 7)

摘　　要：计算并讨论了由电极 -压电薄膜 -电极的三明治结构组成的体声波谐振器在有衬底情况下的阻抗 ,特别说明了厚的支撑膜对滤波器性能的严重影响。同时比较了在制作体声波滤波器时硅的体加工工艺和表面加工工艺的优劣 。The analytical solutions of the wave equation for the electrode piezoelectrics electrode sandwich structure on support film in the BAW RF resonators are presented The advantages and disadvantages of fabricating BAW RF filter using surface and bulk micromachining are discussed A novel structure of front end passband bulk acoustic wave(BAW) filter using surface micromachining is given

关 键 词：滤波器 揩振器 微电子机械系统 体声波 射频 硅 表面加工 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学] TN713