GaN／Al2O3（0001）的匹配机制及氮化的作用  

作　　者：徐科[1] 郑文莉[2] 等 

机构地区：[1]中国科学院上海光学精密机械研究所 [2]中国科学院北京高能物理研究所

出　　处：《北京同步辐射装置年报》1998年第1期121-125,共5页

摘　　要：在Al2O3(0001）衬底上用MOCDVD方法进行了GaN的外延生长，通过X射线衍射（同步辐射源）研究了GaN和Al2O3(0001）的匹配关系。结果表明，经充分氮化的衬底上，GaN以单一的匹配方式沿[0001]方向生长：在Al2O3(0001）衬底未经氮化或氮化不充分时，不同程度地出现了其它三种绕<11-20>晶带轴倾斜一定角度的匹配位向。指出了GaN/Al2O3(0001）的几种匹配方式的晶体学规律。GaN绕<11-20>晶带轴倾斜的匹配方式是其外延生长过程中降低和Al2O3(0001）的晶格失配、释放界面应变的重要机制之一。

关 键 词：匹配机制 氮化 GAN MOCVD 晶格匹配 氧化铝衬底 外延膜 氮化镓 外延生长 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN304.054