GaAs器件的离子注入新技术研究  

STUDIES ON NEW ION IMPLANTATION TECHNOLOGIES APPLIED TO GaAs DEVICES

作　　者：商作起 徐嘉东[1] 杨占坤[1] 李建明[1] 王培大[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《微细加工技术》1991年第3期29-32,37,共5页Microfabrication Technology

摘　　要：本文介绍了离子注入技术中双偏角注入,大偏角注入和双向双偏注入等新工艺与使用效果。同时,阐析了BF^+对Si^+注入的沾污,以及以上研究在研制高水平GaAs器件中的关键作用。Ion implantation with double tilting angles, large tilting angle,and double crossed directions is introduced. Si+ implantation with BF+ contamination and its key action on high grade GaAs devices is also introduced.

关 键 词：GAAS器件 离子注入 半导体器件 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学]