杨占坤

作品数:2被引量:1H指数:1
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供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题:离子注入潘宁离子源离子注入机离子源冷阴极更多>>
发文领域:电子电信更多>>
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改进型潘宁离子源获得难溶金属离子的研究被引量:1
《微细加工技术》1991年第3期1-4,共4页徐嘉东 商作起 李建明 杨占坤 王培大 
本文描述了改进型潘宁离子源在活性化学反应机理作用基础上获得难熔金属离子。研究了源结构和引束上活性气体的影响,并获得有关结果。
关键词:离子注入 潘宁离子源 难容金属离子 
GaAs器件的离子注入新技术研究
《微细加工技术》1991年第3期29-32,37,共5页商作起 徐嘉东 杨占坤 李建明 王培大 
本文介绍了离子注入技术中双偏角注入,大偏角注入和双向双偏注入等新工艺与使用效果。同时,阐析了BF^+对Si^+注入的沾污,以及以上研究在研制高水平GaAs器件中的关键作用。
关键词:GAAS器件 离子注入 半导体器件 
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