InSb—MIS器件中PECVD氮氧化硅栅介质膜的研究  

PECVD SILICON-OXYNITRIDE THIN FILM FOR GATE INSULATOR IN InSb-MIS DEVICE

作　　者：於伟峰[1] 李炳宗[1] 李孔宁[2] 陈永平[2] 张勤耀[2] 龚雅谦 

机构地区：[1]复旦大学电子工程系 [2]中国科学院上海技术物理研究所

出　　处：《红外研究》1989年第6期409-415,共7页

摘　　要：——用PECVD技术在低温、低压和低功率密度条件下获得了优质氮氧化硅(Si_xO_yN_x)薄膜,并成功地应用于InSb-MIS单元器件的研制.X光电子能谱和红外光谱分析表明Si_xO_yN_z膜具有复杂的空间结构.Using PECVD technique, high quality Si_xO_yN_z films have been obtained at low temperature, low pressure and low r. f. power density, and successfully applied in the development of InSb-MIS single-element devioes. XPS and IR spectra show that Si_xO_yN_z films have complicated space structures.

关 键 词：锑化铟 MIS器件 氮氧化硅 薄膜 

分 类 号：TN215.05[电子电信—物理电子学]