於伟峰

作品数：5被引量：11H指数：2
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供职机构：复旦大学信息科学与工程学院电子工程系更多>>
发文主题：氮氧化硅PECVD梯度薄膜MIS器件INSB更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《功能材料》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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利用^4He—O共振散射测量SiOxNy功能梯度薄膜中氧的深度分布被引量：1
《功能材料》1998年第4期405-407,共3页於伟峰 张伟 包宗明 周筑颖 伍怀龙 
国家自然科学基金
利用４Ｈｅ－Ｏ共振散射测量了ＳｉＯｘＮｙ功能梯度薄膜中氧元素的深度分布。测试样品由计算机控制的等离子增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法制备，所用的反应气体是ＳｉＨ４（由Ｎ２稀释至１５％），Ｎ２Ｏ和ＮＨ３。测试结果表明...
关键词：功能梯度材料 薄膜测量 共振散射 氮氧化硅 
SiGe／Si异质结构MOS器件栅介质技术研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1996年第11期858-862,共5页亓文杰 於伟峰 李炳宗 顾志光 黄维宁 姜国宝 张翔九 
国家自然科学基金
本文研究ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构ＭＯＳ器件栅介质制备技术，采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法低温制备电学特性优良的薄栅介质薄膜，并应用于ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构器件研制，试制成功ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构ＰＭＯＳ...
关键词：MOS器件 栅介质 SIGE 硅 异质结构 
PECVD方法用于梯度薄膜材料的研究被引量：5
《功能材料》1996年第6期530-533,共4页於伟峰 张伟 汤晓东 包宗明 
国家自然科学基金委员会材料与工程学部资助
本文研究了ＰＥＣＶＤ方法制备Ｓｉ－Ｏ－Ｎ系梯度薄膜材料，并运用计算机控制技术成功地制备了涂层折射率随膜深成正弦波形式连续变化的Ｒｕｇａｔｅ单通带滤波器样品。结果表明，采用ＰＥＣＶＤ方法可以制备性能上乘、结构复杂的梯度...
关键词：PECVD 氮氧化硅 梯度薄膜 薄膜 
自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术被引量：1
《Journal of Semiconductors》1996年第4期294-299,共6页邵凯 李炳宗 邹斯洵 黄维宁 吴卫军 房华 於伟峰 姜国宝 俞波 张敏 
ＣＯ／Ｔｉ／Ｓｉ或ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构通过多步退火技术在Ｓｉ单晶衬底上外延生长ＣｏＳｉ２薄膜，ＡＥＳ、ＲＢＳ测试显示ＣｏＳｉ２薄膜具有良好均匀性和单晶性．这种硅化物新技术已用于ＣＭＯＳ器件工艺．采用等...
关键词：CMOS器件 外延生长 COSI2 
InSb—MIS器件中PECVD氮氧化硅栅介质膜的研究被引量：4
《红外研究》1989年第6期409-415,共7页於伟峰 李炳宗 李孔宁 陈永平 张勤耀 龚雅谦 
——用PECVD技术在低温、低压和低功率密度条件下获得了优质氮氧化硅(Si_xO_yN_x)薄膜,并成功地应用于InSb-MIS单元器件的研制.X光电子能谱和红外光谱分析表明Si_xO_yN_z膜具有复杂的空间结构.
关键词：锑化铟 MIS器件 氮氧化硅 薄膜 
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