邹斯洵

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：复旦大学更多>>
发文主题：COSI2CMOS器件CMOS自对准超大规模集成电路更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
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自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术被引量：1
《Journal of Semiconductors》1996年第4期294-299,共6页邵凯 李炳宗 邹斯洵 黄维宁 吴卫军 房华 於伟峰 姜国宝 俞波 张敏 
ＣＯ／Ｔｉ／Ｓｉ或ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构通过多步退火技术在Ｓｉ单晶衬底上外延生长ＣｏＳｉ２薄膜，ＡＥＳ、ＲＢＳ测试显示ＣｏＳｉ２薄膜具有良好均匀性和单晶性．这种硅化物新技术已用于ＣＭＯＳ器件工艺．采用等...
关键词：CMOS器件 外延生长 COSI2 
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