基于HgCdTe薄膜和GaAs/AlGaAs多量子阱的红外光电探测器列阵  

作　　者：高国龙 

出　　处：《红外》2002年第6期28-33,46,共7页Infrared

摘　　要：俄罗斯科学院西伯利亚分院半导体物理研究所设计并制作了若干用于3μm～12μm光谱范围的光电探测器组件.这些光电探测器组件都是以用分子束外延方法生长的Hg1-xCdxTe/GaAs异质结构和GaAs/AlGaAs多量子阱结构为基础的,其HgCdTe光敏层长在带CdZnTe中间缓冲层的GaAs衬底上.为了减少表面对复合过程的影响,生长了增加表面组分的渐变带隙HgCdTe层.

关 键 词：多量子阱 碲镉汞薄膜 砷化镓 砷铝镓三元化合物 HGCDTE薄膜 GAAS/ALGAAS 红外光电探测器列阵 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]