PREVAIL——下一代电子束投影曝光技术  

PREVAIL──Next-generation E-Beam Projection Lithography

作　　者：王云翔[1] 刘明[1] 陈宝钦[1] 李友[1] 张建宏[1] 张卫红[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子中心光掩模实验室,北京100029

出　　处：《微细加工技术》2002年第2期1-4,共4页Microfabrication Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (6 990 6 0 0 6 )

摘　　要：PREVAIL作为下一代电子束投影曝光技术 ,采用可变轴浸没透镜 ,对以硅为支架的碳化硅薄膜进行投影微缩曝光。在 1mm2 子场的情况下 ,运用步进扫描曝光方式 ,在 1 0 0nm临界尺寸下具有较高的产量 ,与EUVL技术一起成为下一代曝光技术的有力竞争者。As the next generation E-beam projection lithography technology,PREVAIL carries out the projection reduction exposure to the SiC membrane supported by silicon mount with variable immerssion lenses.When the subfield is 1mm 2 and the feature size is 100 nm,it has higher throughput using scan-step exposure strategy.PREVAIL,as well as EUVL,will be the competition of the next generation lithography technology.

关 键 词：PREVAIL 电子束投影曝光技术 光学光刻技术 NGL 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]